扩散炉应用于半导体分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺,可用于2-8英寸工艺尺寸。
设备特点:
可保存多条工艺曲线每条曲线可设置多步
工艺曲线的自动运行控制功能
工艺中可强制跳到下一工艺步运行功能
自动运行中可暂停/继续运行功能
可存储多组PID参数供系统运行调用功能
PID参数自整定功能
工艺气体的程序控制功能
关键部件全部具有高可靠性
具有良好的人机界面
系统故障自诊功能
停电后断点继续运行功能等等
具有历史记录功能
具有多点温度补偿
技术指标:
可配置工艺管外径2~8英寸
可配置工艺管数量:1~4管/台
工作温度范围:400~1300℃
恒温区长度及精度:300~1250mm 800~1300℃±0.5℃
单点温度稳定性:800~1300℃±0.5℃/24h
可控升温速率:15℃/min
降温速率:5℃/min